實際加工工藝對溫度的規定之后也要例舉，但做為總體標準看，因為生產加工精密度愈來愈細致，因此對溫度起伏范疇的規定愈來愈小。比如在規模性集成電路芯片生產制造的光刻曝出加工工藝中，做為掩膜板原材料的夾層玻璃與硅單晶的線膨脹系數的差規定愈來愈小。直經100um的硅單晶，溫度升高1度，就造成了0.24um線形澎漲，因此務必有±0.1度的控溫，另外規定環境濕度值一般較低，由于人流汗之后，對商品將有環境污染，非常是怕鈉的半導體材料生產車間，這類生產車間不適合超出25度。

環境濕度過高造成的難題大量，空氣濕度超出一半時，冷卻循環水壁厚上面冷凝水，假如產生在高精密設備或電源電路中，就會造成各種各樣安全事故?？諝鉂穸仍谝话霑r最易銹蝕。除此之外，環境濕度太高時將根據氣體中的氧分子把硅單晶表層黏著的塵土有機化學吸咐在表層耐無法消除?？諝鉂穸仍礁?黏附的難除掉，但當空氣濕度小于30%時，又因為靜電力的功效使物體也非常容易吸咐于表層，另外很多集成電路工藝非常容易產生熱擊穿。針對硅單晶生產制造最好溫度范疇為35—45%。

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